Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRF9Z14LPBF
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
IRF9Z14LPBF-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Maelezo ya Kina:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole I2PAK
Hesabu:
13048953
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
FtAF
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRF9Z14LPBF Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
-
Ufungaji
Tube
Hali ya Sehemu
Active
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
6.7A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
I2PAK
Kifurushi / Kesi
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IRF9Z14
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
*IRF9Z14LPBF
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRF730AS
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRFBE20PBF
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
IRFPC50LC
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
