Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
SIHP6N80E-GE3
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
SIHP6N80E-GE3-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Hesabu:
12965930
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
hhIj
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
SIHP6N80E-GE3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
E
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
5.4A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
827 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
78W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220AB
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
SIHP6
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
SIHP6N80E-BE3
MTENGENEZAJI
Vishay Siliconix
KIASI KILICHOPATIKANA
500
Nambari ya Sehemu
SIHP6N80E-BE3-DG
BEI YA KILA KITU
0.91
AINA YA KUBADILISHA
Direct
NAMBARI YA SEHEMU
STP7N80K5
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
860
Nambari ya Sehemu
STP7N80K5-DG
BEI YA KILA KITU
0.98
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
ISZ0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
ISC0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON