Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
SI2319CDS-T1-BE3
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
SI2319CDS-T1-BE3-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Maelezo ya Kina:
P-Channel 40 V 3.1A (Ta), 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Hesabu:
12955038
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
qjUz
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
SI2319CDS-T1-BE3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
40 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
595 pF @ 20 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SOT-23-3 (TO-236)
Kifurushi / Kesi
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
SI2319
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
742-SI2319CDS-T1-BE3TR
742-SI2319CDS-T1-BE3CT
742-SI2319CDS-T1-BE3DKR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SIE854DF-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
RJK0230DPA-WS#J5A
N-CHANNEL POWER MOSFET
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
