Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
SI2316BDS-T1-E3
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
SI2316BDS-T1-E3-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Hesabu:
8289 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12914960
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
sbds
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
SI2316BDS-T1-E3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
30 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
4.5A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 15 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SOT-23-3 (TO-236)
Kifurushi / Kesi
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
SI2316
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
SI2316BDS-T1-E3-DG
SI2316BDST1E3
SI2316BDS-T1-E3CT
SI2316BDS-T1-E3TR
SI2316BDS-T1-E3DKR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRFS9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IXFK20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO264AA
SI4172DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
