Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
TK62J60W,S1VQ
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
TK62J60W,S1VQ-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Maelezo ya Kina:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Hesabu:
4 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12949830
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
1Oxt
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
TK62J60W,S1VQ Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
DTMOSIV
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
600 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
61.8A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 3.1mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
400W (Tc)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-3P(N)
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
TK62J60
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
25
Majina mengine
TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
FCH041N60F
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
365
Nambari ya Sehemu
FCH041N60F-DG
BEI YA KILA KITU
7.37
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
TSM1NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
