Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
TK46E08N1,S1X
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
TK46E08N1,S1X-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Maelezo ya Kina:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Hesabu:
23 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12890796
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
17Nm
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
TK46E08N1,S1X Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
U-MOSVIII-H
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
80 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
80A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 40 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
103W (Tc)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
TK46E08
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
TK46E08N1S1X
TK46E08N1,S1X(S
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STP100N10F7
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
88
Nambari ya Sehemu
STP100N10F7-DG
BEI YA KILA KITU
1.11
AINA YA KUBADILISHA
Direct
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
TPH4R003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
