Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
TK14E65W5,S1X
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
TK14E65W5,S1X-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Maelezo ya Kina:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Hesabu:
15 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12891028
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
OvZ6
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
TK14E65W5,S1X Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
DTMOSIV
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
650 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
13.7A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 690µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
130W (Tc)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
TK14E65
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
TK14E65W5S1X
TK14E65W5,S1X(S
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
TK14N65W5,S1F
MTENGENEZAJI
Toshiba Semiconductor and Storage
KIASI KILICHOPATIKANA
30
Nambari ya Sehemu
TK14N65W5,S1F-DG
BEI YA KILA KITU
1.82
AINA YA KUBADILISHA
Parametric Equivalent
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
TPCA8010-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
TK8A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
PHP23NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
