Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Tanzania
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Tanzania
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
Ufaransa
Uhispania
Uturuki
Moldova
Lithuania
Norwei
Ujerumani
Ureno
Slovakia
ltaly
Finili
Kirusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Serbia
Belarusi
Uholanzi
Swideni
Montenegro
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Romania
Austria
Ubelgiji
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
DR Congo
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Angola
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Ajentina
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
RN2902FE,LF(CT
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
RN2902FE,LF(CT-DG
Maelezo:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
Maelezo ya Kina:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount ES6
Hesabu:
3990 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12891791
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
F
7
X
g
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
RN2902FE,LF(CT Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Mifumo ya Transistor Bipolar, Iliyopangwa Kabla
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50V
Resistor - Msingi (R1)
10kOhms
Resistor - Msingi wa Emitter (R2)
10kOhms
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
500nA
Mzunguko - Mpito
200MHz
Nguvu - Max
200mW
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SOT-563, SOT-666
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
ES6
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
RN2902
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
RN2901FE-06FE
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
4,000
Majina mengine
RN2902FELF(CTTR
RN2902FELF(CTDKR
RN2902FE,LF(CB
RN2902FELF(CTCT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
NSVBA114EDXV6T1G
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
NSVBA114EDXV6T1G-DG
BEI YA KILA KITU
0.05
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
PEMB11,115
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
8520
Nambari ya Sehemu
PEMB11,115-DG
BEI YA KILA KITU
0.07
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
NSBA114EDXV6T1G
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
4000
Nambari ya Sehemu
NSBA114EDXV6T1G-DG
BEI YA KILA KITU
0.05
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
EMB11T2R
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
30713
Nambari ya Sehemu
EMB11T2R-DG
BEI YA KILA KITU
0.08
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
RN2905FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2710JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1906(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4905FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6