Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
RN2902FE(T5L,F,T)
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
RN2902FE(T5L,F,T)-DG
Maelezo:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Maelezo ya Kina:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Hesabu:
12889596
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
RN2902FE(T5L,F,T) Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Mifumo ya Transistor Bipolar, Iliyopangwa Kabla
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50V
Resistor - Msingi (R1)
10kOhms
Resistor - Msingi wa Emitter (R2)
10kOhms
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
100nA (ICBO)
Mzunguko - Mpito
200MHz
Nguvu - Max
100mW
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SOT-563, SOT-666
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
ES6
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
RN2902
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
4,000
Majina mengine
RN2902FE(T5LFT)DKR
RN2902FE(T5LFT)CT
RN2902FE(T5LFT)TR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
PEMB11,115
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
8520
Nambari ya Sehemu
PEMB11,115-DG
BEI YA KILA KITU
0.07
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
NSBA114EDXV6T1G
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
4000
Nambari ya Sehemu
NSBA114EDXV6T1G-DG
BEI YA KILA KITU
0.05
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
RN1502(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN4982,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1910FE(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6