Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
HN1B01FU-Y(L,F,T)-DG
Maelezo:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Maelezo ya Kina:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
Hesabu:
12891097
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
31Y9
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
HN1B01FU-Y(L,F,T) Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Vikundi vya Transistori za Bipolar
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya Transistor
NPN, PNP
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
150mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
100nA (ICBO)
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Nguvu - Max
200mW
Mzunguko - Mpito
120MHz
Joto la Uendeshaji
125°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
US6
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
HN1B01
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
RoHS Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
UMZ1NTR
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
109445
Nambari ya Sehemu
UMZ1NTR-DG
BEI YA KILA KITU
0.05
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
HN1A01FE-GR,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
2SA1873-GR(TE85L,F
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
HN4B01JE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
