Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
STI57N65M5
Product Overview
Mtengenezaji:
STMicroelectronics
Nambari ya Kipande:
STI57N65M5-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Hesabu:
12876031
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
sTth
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
STI57N65M5 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
STMicroelectronics
Ufungashaji
-
Mfululizo
MDmesh™ V
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
650 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
42A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
250W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-262 (I2PAK)
Kifurushi / Kesi
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
STI57N
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
-497-13107-5
497-13107-5
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STW58N65DM2AG
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
STW58N65DM2AG-DG
BEI YA KILA KITU
7.29
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
STL160N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
STFU28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STP14NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
