Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
RP1E090RPTR
Product Overview
Mtengenezaji:
Rohm Semiconductor
Nambari ya Kipande:
RP1E090RPTR-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
Maelezo ya Kina:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Hesabu:
13524359
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
a8S2
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
RP1E090RPTR Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
ROHM Semiconductor
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
30 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
9A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
16.9mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 10 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
2W (Ta)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
MPT6
Kifurushi / Kesi
6-SMD, Flat Leads
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
RP1E090
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
RP1E090RPDKR
RP1E090RPCT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
RRH090P03TB1
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
2400
Nambari ya Sehemu
RRH090P03TB1-DG
BEI YA KILA KITU
0.55
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
SI4431CDY-T1-GE3
MTENGENEZAJI
Vishay Siliconix
KIASI KILICHOPATIKANA
65416
Nambari ya Sehemu
SI4431CDY-T1-GE3-DG
BEI YA KILA KITU
0.22
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
R5009FNX
MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM
RT1A060APTR
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
