Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
NSBA144WDXV6T1G
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
NSBA144WDXV6T1G-DG
Maelezo:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Maelezo ya Kina:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Hesabu:
12842489
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
NSBA144WDXV6T1G Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Mifumo ya Transistor Bipolar, Iliyopangwa Kabla
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50V
Resistor - Msingi (R1)
47kOhms
Resistor - Msingi wa Emitter (R2)
22kOhms
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
500nA
Mzunguko - Mpito
-
Nguvu - Max
500mW
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SOT-563, SOT-666
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SOT-563
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
NSBA144
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
4,000
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
RN2909FE(TE85L,F)
MTENGENEZAJI
Toshiba Semiconductor and Storage
KIASI KILICHOPATIKANA
4000
Nambari ya Sehemu
RN2909FE(TE85L,F)-DG
BEI YA KILA KITU
0.04
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
NUS2401SNT1G
TRANS PREBIAS 2NPN 1PNP 50V SC74
SMUN5311DW1T2G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
DMG964060R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6