Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRL640A
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
IRL640A-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
97975 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12847790
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
Unei
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRL640A Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
200 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
18A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1705 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
110W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IRL640
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
2156-IRL640A
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IRL640PBF
MTENGENEZAJI
Vishay Siliconix
KIASI KILICHOPATIKANA
5642
Nambari ya Sehemu
IRL640PBF-DG
BEI YA KILA KITU
0.93
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
IRF200B211
MTENGENEZAJI
Infineon Technologies
KIASI KILICHOPATIKANA
4746
Nambari ya Sehemu
IRF200B211-DG
BEI YA KILA KITU
0.51
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FDD8882
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
FDP6030BL
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
NTB27N06LT4
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK