Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDMD8900
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FDMD8900-DG
Maelezo:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Maelezo ya Kina:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Hesabu:
12836397
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDMD8900 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mifumo
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Usanidi
2 N-Channel (Dual)
Kipengele cha FET
-
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
30V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
19A, 17A
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 15V
Nguvu - Max
2.1W
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
12-PowerWDFN
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
12-Power3.3x5
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDMD89
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
FDME1024NZT
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDMC007N30D
MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
