Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IXTQ60N20L2
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
IXTQ60N20L2-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Maelezo ya Kina:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
Hesabu:
12820028
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
KSZD
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IXTQ60N20L2 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
Linear L2™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
200 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
60A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
10500 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
540W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-3P
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IXTQ60
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
-IXTQ60N20L2
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IXTV30N60PS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD
IXFX170N20P
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
IXTA75N10P
MOSFET N-CH 100V 75A TO263