Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IXTA34N65X2
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
IXTA34N65X2-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Maelezo ya Kina:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Hesabu:
12914448
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
S0yI
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IXTA34N65X2 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
Ultra X2
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
650 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
34A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
96mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
540W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-263AA
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IXTA34
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STB45N65M5
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
301
Nambari ya Sehemu
STB45N65M5-DG
BEI YA KILA KITU
4.20
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
FCB070N65S3
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
375
Nambari ya Sehemu
FCB070N65S3-DG
BEI YA KILA KITU
3.04
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SI4174DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
IRFI620GPBF
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3