Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IXFT12N100
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
IXFT12N100-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Maelezo ya Kina:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Hesabu:
12821175
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IXFT12N100 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
-
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
1000 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
12A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
300W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-268AA
Kifurushi / Kesi
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IXFT12
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IXFT15N100Q3
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
IXFT15N100Q3-DG
BEI YA KILA KITU
12.43
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
IXFT20N100P
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
IXFT20N100P-DG
BEI YA KILA KITU
9.65
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IXTT26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
IXFH12N120
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
IXFX25N90
MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3
