IXFN90N30

Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:

IXFN90N30

Product Overview

Mtengenezaji:

IXYS

Nambari ya Kipande:

IXFN90N30-DG

Maelezo:

MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B

Maelezo ya Kina:

N-Channel 300 V 90A (Tc) 560W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Hesabu:

Ombi la Quotations Mtandaoni

12904892

Omba Nukuu

Kiasi
Kiasi cha chini 1

i8uf

(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24

TUMA

IXFN90N30 Maalum ya Kiufundi

Kikundi

FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs

Mtengenezaji

Littelfuse

Ufungashaji

-

Mfululizo

HiPerFET™

Hali ya Bidhaa

Obsolete

Aina ya FET

N-Channel

Teknolojia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)

300 V

Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs

360 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds

10000 pF @ 25 V

Kipengele cha FET

-

Usambazaji wa Nguvu (Max)

560W (Tc)

Joto la Uendeshaji

-55°C ~ 150°C (TJ)

Aina ya Kuweka

Chassis Mount

Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji

SOT-227B

Kifurushi / Kesi

SOT-227-4, miniBLOC

Nambari ya Bidhaa ya Msingi

IXFN90

Karatasi za Takwimu na Nyaraka

Mchoro wa HTML

Karatasi za data

Jarida la Takwimu

Taarifa za Ziada

Kifurushi cha Kawaida

10

Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji

Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)

1 (Unlimited)

Hali ya REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Mifano Mbadala

NAMBARI YA SEHEMU

IXFN140N30P

MTENGENEZAJI

IXYS

KIASI KILICHOPATIKANA

0

Nambari ya Sehemu

IXFN140N30P-DG

BEI YA KILA KITU

25.25

AINA YA KUBADILISHA

Direct

Digi Cheti

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Bidhaa Zinazohusiana

diodes

ZXM62P03E6TA

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26

diodes

VN10LPSTZ

MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3

diodes

ZVN4310A

MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3

vishay-siliconix

IRFI9620GPBF

MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3