Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPP60R080P7XKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPP60R080P7XKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Hesabu:
12803398
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
ufwN
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPP60R080P7XKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™ P7
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
650 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
37A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2180 pF @ 400 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
129W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPP60R080
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
IPP60R080P7XKSA1-DG
SP001647034
448-IPP60R080P7XKSA1
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
BSC080P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
IPP80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
