Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPL60R210P6AUMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPL60R210P6AUMA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Maelezo ya Kina:
N-Channel 600 V 19.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Hesabu:
3000 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12803754
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
ObbB
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPL60R210P6AUMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
CoolMOS™ P6
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
600 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
19.2A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
151W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-40°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-VSON-4
Kifurushi / Kesi
4-PowerTSFN
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPL60R210
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
2156-IPL60R210P6AUMA1
SP001017096
IPL60R210P6AUMA1CT
IPL60R210P6AUMA1TR
IPL60R210P6AUMA1DKR
INFINFIPL60R210P6AUMA1
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
2A (4 Weeks)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
IPD25N06S240ATMA1
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
