Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
BSP129H6327XTSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
BSP129H6327XTSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Maelezo ya Kina:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Hesabu:
4926 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12798387
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
n0Vb
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
BSP129H6327XTSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
SIPMOS®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
240 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
350mA (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
108 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
Depletion Mode
Usambazaji wa Nguvu (Max)
1.8W (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-SOT223-4
Kifurushi / Kesi
TO-261-4, TO-261AA
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
BSP129
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
BSP129H6327XTSA1DKR
BSP129H6327XTSA1TR
BSP129H6327XTSA1CT
SP001058580
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
BSP129H6906XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
AUIRF6215STRL
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
AUIRFZ46NL
MOSFET N-CH 55V 39A TO262
