Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
BSC018NE2LSIATMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
BSC018NE2LSIATMA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Maelezo ya Kina:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Hesabu:
9750 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12798661
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
dmg9
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
BSC018NE2LSIATMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
OptiMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
25 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
29A (Ta), 100A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 12 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TDSON-8-6
Kifurushi / Kesi
8-PowerTDFN
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
BSC018
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
5,000
Majina mengine
BSC018NE2LSIATMA1TR
BSC018NE2LSI-DG
BSC018NE2LSIDKR-DG
INFINFBSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSIATMA1DKR
BSC018NE2LSICT-DG
BSC018NE2LSIDKR
BSC018NE2LSITR-DG
BSC018NE2LSIATMA1CT
SP000906030
BSC018NE2LSI
2156-BSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSICT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
AUIRFN8405TR
MOSFET N-CH 40V 95A PQFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
